光電子薄膜分為：導電薄膜(金屬導電膜、透明導電ITO薄膜)；光電導薄膜(CdS與CdSe薄膜、α-Si:H薄膜)；電致發(fā)光薄膜(ZnS:Mn薄膜、有機電致發(fā)光薄膜)；電致變色薄膜(WO3薄膜)；液晶薄膜。

　　導電薄膜在光電子薄膜器件以及集成電路中的應用十分廣泛，它是主要的電極薄膜、導線薄膜。一般對電極薄膜的要求是：

1、導電性好，方電阻小；2、與基片或前層薄膜的附著力好；

2、與基片或前層薄膜的附著力好；

3、接觸電阻小；

4、容易進行微細加工；

5、具有良好的焊接性能；

6、穩(wěn)定性好.

金屬導電薄膜：

特點：良好的導電性能，反射率高

材料：金、鋁、銀

金：蕞理想的導電特性，可見區(qū)吸收大，遠紅外高反射，基板的附著性較差；銀：可見區(qū)具有很高的反射率，導電性好，與基板的附著力較差：

鋁：可見區(qū)有較高的反射率，導電性良好，與基板的附著性較好.

透明導電薄膜(ITO)：

透明導電薄膜因同時具有可見光譜范圍內透明和良好的導電性而廣泛地應用于各個領域：窗口的透明隔熱薄膜、透明電極等.

近年來各種氧化物半導體薄膜受到重視，其中蕞具有代表性的是In2O3·SnO2薄膜，簡稱ITO薄膜(Indium tin oxide)。

In2O3和SnO2屬于氧化物半導體，具有類似于半導體的性質，在In2O3中摻入少量的SnO2，可使電導性能得到改善。

ITO薄膜的特性：

1、ITO薄膜中的SnO2含量一般為8-9%;

2、ITO薄膜的電阻率隨膜厚增加而減小；

3、In2o3的禁帶為4eV,吸收邊在310m附近，摻雜后吸收邊長移，般但紫外區(qū)；4、透明區(qū)，光子的能量不足以使價電子子激發(fā)，雜質、載流子吸收和散射損耗；5、ITO薄膜的制備：濺射法、CVD法、反應蒸發(fā)法：

電子束：200℃-300℃、2-3nm/min、充氧1.3*10-Pa、100-200nm6、影響電阻率和透射率：基板溫度、蒸發(fā)速率、膜厚、老化。